氮化鋁陶瓷基板有哪些性能優(yōu)勢

    氮化鋁陶瓷基板在我國的發(fā)展已有很長一段時間的歷史，基板類型一直在不斷應(yīng)需增加，傳統(tǒng)的基板包括了纖維基板、FR-4、鋁基板、銅基板等類型。所以就有很多人問為何氮化鋁陶瓷基板比其他基板貴，其實氮化鋁陶瓷的優(yōu)勢是非常明顯的，下面鈞杰陶瓷就為大家解開氮化鋁陶瓷基板有哪些性能優(yōu)勢。

    氮化鋁陶瓷基板采用了LAM技術(shù)（激光快速活化金屬化技術(shù)Laser high-peed activation metallization）的氮化鋁陶瓷基板讓金屬層與陶瓷之間結(jié)合得更緊密，金屬層與陶瓷之間結(jié)合強(qiáng)度高，最大可以達(dá)到45，Pa（大于1mm厚陶瓷片自身的強(qiáng)度）。使氮化鋁基板擁有更牢、更低阻的金屬膜層，導(dǎo)電層厚度在1μm～1mm內(nèi)還可任意定制。
    比較傳統(tǒng)陶瓷基板有更好的導(dǎo)熱效率，鋁基基板的熱導(dǎo)率位1～2W/mk，雖然銅本身的導(dǎo)熱率達(dá)到了383.8W/m.K，但絕緣層的導(dǎo)熱率只有1.0W/m.K.左右，好的可以達(dá)到1.8W/m.K。并且氮化鋁陶瓷基板具有比氧化鋁陶瓷更高的熱導(dǎo)率，數(shù)據(jù)為170～230 W/m.k。
   還有就是熱膨脹系數(shù)（CTE）。在LED照明領(lǐng)域，主流基板CTE平均導(dǎo)熱率為14~17ppm/C，而硅芯片的CTE為6ppm/C，在溫差過大、溫度劇變的情況下，PCB會比芯片封片封裝膨脹得更劇烈，導(dǎo)致脫焊問題。在這種困擾之下，氮化鋁陶瓷基板的CTE為4-5ppm/C讓人眼前一亮，和芯片的膨脹率更為接近，能有效避免類似情況。

   除此之外，氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分，銅層不含氧化層，使用壽命長，可在還原性氣氛中長期使用，適于航空航天設(shè)備。
   氮化鋁陶瓷基板的在市面上的用途相當(dāng)廣泛，由于它高頻損耗小，介電常數(shù)小的特性，可進(jìn)行高頻電路的設(shè)計和組裝，也可進(jìn)行高密度組裝，線/間距（L/S）分辨率可以達(dá)到20μm，在以輕薄小巧為科技潮流的當(dāng)下，十分利于實現(xiàn)設(shè)備的短、小、輕、薄化。
   氮化鋁陶瓷基板正是航空航天、通訊信息、照明家電等等領(lǐng)域工業(yè)的飛速發(fā)展促使了氮化鋁陶瓷基板這樣的產(chǎn)品出現(xiàn)，這些擁有突出優(yōu)勢的產(chǎn)品也必然會成為新的潮流，來印證時代對它們的選擇。氮化鋁基板作為更優(yōu)越的選擇，是大勢所趨。鈞杰陶瓷通過不斷摸索累積，已掌握合格的陶瓷成型工藝，更是培養(yǎng)了一批精密加工骨干。加上各種陶瓷材料加工的專用設(shè)備，我們有實力，有能力為您提供更好的產(chǎn)品。我們可以對陶瓷加工提出更好的技術(shù)要求，精密陶瓷加工咨詢鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：136 998 99025。